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源创(c)-(d)不同钴铁硼和铬厚度下的太赫兹强度。实现由图4(f)的比较我们可以得知铬/钴铁硼中的轨道霍尔磁阻比钽/钴铁硼和铂/钴铁硼中的自旋霍尔磁阻小一个数量级。

前者需要一个额外的轨道电流-自旋电流的转换过程（图4(g)），电网的深度脱这也解释了为什么铬/铁磁结构中自旋-电荷转换效率很低。西门新该论文演示了以3d过渡金属铬作为自旋电流来源而有效地对三锡化锰的非线性反铁磁状态进行电操控。值得注意的是，源创锡化锰/铬的翻转极性和锡化锰/钽相同而和锡化锰/铂相反。

实现图2(a-b)分别展示了锡化锰/铬在不同铬厚度和锡化锰厚度下的翻转比率和临界电流。电网的深度脱其效率和基于重金属的结构相当。

西门新(c)锡化锰/铬的反常霍尔电阻率和翻转比率随温度的变化。

同时我们还发现钴铁硼/铬的太赫兹强度比钴铁硼/铂的强度小一个数量级，源创这表明钴铁硼/铬的自旋-电荷转换效率非常低在扭转的单层-双层石墨烯中，实现观察到通过电荷掺杂在一个固定的谷中翻转轨道磁化的现象。

电网的深度脱04.数据概览图1|具有菱形层叠结构的五层石墨烯中通过栅电场诱导的贝里曲率和谷-磁四重态。西门新图4|由磁场和温度控制的铁谷性。

但由于其轨道性质，源创通过电场、磁场和光的圆偏振更容易控制这个谷。05.成果启示本研究在晶体五层石墨烯的平带中展示了轨道多铁性，实现其中共存但独立的铁谷性和铁轨道磁性。